國產記憶體雙雄業績飆升 長鑫科技長江存儲同步衝刺A股上市

受惠於人工智能（AI）投資熱潮帶動記憶體需求激增，導致市場供應持續緊張及價格飆升，中國兩大記憶體生產商——DRAM龍頭長鑫科技集團股份有限公司（下稱長鑫科技）與3D NAND快閃記憶體巨頭長江存儲控股股份有限公司（下稱長江存儲）近期業績表現亮麗，均錄得驚人的倍數增長。兩者更把握市場機遇，幾乎同步加速衝刺A股上市進程，標誌著內地記憶體產業資本化邁向新階段。 市場消息指，長鑫科技於5月17日已更新其在上海證券交易所科創板的首次公開招股（IPO）招股書。業界預期，長鑫科技有望在7至8月期間完成掛牌上市，最遲不會晚於11月。根據最新招股書披露，長鑫科技今年首季業績堪稱震撼，期內錄得營收508億元（人民幣，下同），按年大幅增長719.13%。扣除所得税及貸款利息等財務費用後，其税後純利達330.115億元；歸屬母公司所有者純利則為247.62億元。 值得留意的是，長鑫科技自2016年7月成立至2025年底，累計虧損（包括少數股東）約達367億元。然而，該公司僅憑今年首季的税後純利，便抵消了過往逾九年累積虧損的近九成，表現令人矚目。長鑫科技更樂觀預測，今年上半年營收可望介乎1100億至1200億元，按年增長介乎612.53%至677.31%；預計上半年歸屬母公司所有者純利將介乎500億至570億元，而全年歸屬母公司所有者純利更有望突破1000億元大關。 無獨有偶，長江存儲亦展現強勁發展勢頭。據悉，該公司於5月19日正式完成在湖北證監局的IPO輔導備案，正式進入上市輔導階段。市場普遍預測，長江存儲極可能同樣登陸上海證券交易所科創板，最快可望在6月中提交IPO申請。援引產業鏈人士數據，長江存儲今年首季營收已突破200億元，按年增長約一倍；市場估計，期內歸屬母公司所有者的純利約為120億至150億元，按年增幅逾500%。 國產記憶體雙雄今年首季業績錄得驚人增長，主要歸因於兩大因素。首先，記憶體市場供不應求的局面持續，推動產品價格及毛利率顯著上升。其次，兩家公司積極擴大產能，並在全球市場佔有率上取得長足進展。 根據集邦諮詢（TrendForce）的市場數據，今年首季DRAM合約價按季上升90%至95%；NAND快閃記憶體合約價亦按季上升55%至60%。預料第二季記憶體價格將延續升勢，DRAM合約價有望按季上升58%至63%，而NAND快閃記憶體合約價則預計按季上升70%至75%。 在市佔率方面，Omdia對DRAM銷售額的統計顯示，長鑫科技的全球市佔率從2025年第二季的3.97%，躍升至2025年第四季的7.67%，位列全球第四，較第二季大增3.7個百分點。 而Counterpoint亦估計，以出貨量計算，長江存儲今年首季在全球NAND快閃記憶體市場的佔有率已首次突破10%的雙位數，並預計第三季可能進一步攀升至約13%，逼近國際大廠美光科技。若以銷售額計算，長江存儲去年底的全球市佔率約為8%，今年底有望超越10%。長江存儲自身更設定目標，希望在今年底前將以銷售額計算的全球佔有率提升至15%，屆時其產能將佔全球供應量約20%，預計可望超越日本鎧俠，直逼韓國SK海力士。 對於長江存儲以出貨量計算的全球市佔率在今年首季首次躍升至兩位數，市場並不感到意外。此前的2025年2月，韓國媒體ZDNet Korea曾報道，全球最大的NAND快閃記憶體生產商三星電子已與長江存儲達成專利授權協議，以獲取長江存儲3D NAND快閃記憶體晶片「Xtacking」結構的專利使用權。該專利涵蓋晶圓對晶圓直接鍵合技術，屬於業界領先的封裝製程。 市場分析認為，三星電子反過來取得長江存儲「Xtacking」結構的專利授權，原因或有兩點：一是三星電子判斷，其未來生產更大容量NAND快閃記憶體時，恐難繞過「Xtacking」已取得的專利壁壘；二是三星電子對「Xtacking」結構有相當認同，這很可能源於其在增加NAND快閃記憶體層數方面的限制較少。 然而，亦須客觀審視，國產記憶體雙雄在製程技術精密度以及極高增值產品（特別是GPU使用的HBM記憶體）方面，與幾個國際巨頭仍存在一定差距。據報，長江存儲正規劃中的武漢第三期生產線，目標是將國產半導體設備的比例提高至52%，並長遠期望建立一條全國產化設備的生產線。市場分析認為，此目標的可能性不容忽視，尤其若能順利採用璞璘科技（杭州）有限公司（PRINANO）自主研發的噴墨步進式納米壓印機，以替代ASML的光刻機，將是關鍵一步。