台積電傳押後採購ASML高數值孔徑EUV設備 成本效益成主要考量

半導體代工龍頭台積電（美：TSM）據報考慮到成本效益，決定將其最先進的製程中採用艾司摩爾ASML（美：ASML）最新一代高數值孔徑極紫外光刻機（high-NA EUV）的時間，推遲至2029年之後。此消息傳出後，ASML股價昨日應聲下跌1.1%，收報1443.66美元，反映市場對此重要客户策略調整的關注。 台積電副共同營運長張曉強明確表示，公司目前並無計劃將ASML的high-NA EUV設備應用於大規模晶片生產。他指出，這類尖端設備單台價格高昂，估計超過3.5億歐元（約4.1億美元）。張曉強進一步透露，台積電最先進的A13芯片預計將於2029年投入生產。他強調，現有的EUV設備已能為公司帶來足夠效益，而下一代high-NA EUV設備「非常、非常貴」，暗示其投資回報率仍需審慎評估。 ASML作為全球半導體設備供應商的關鍵參與者，特別是在極紫外光刻（EUV）技術領域擁有近乎壟斷的地位，其high-NA EUV設備被視為推動晶片微縮技術的下一里程碑。ASML此前預期，high-NA EUV設備將於2027至2028年進入量產階段，並訂立宏圖，力爭到2030年實現高達600億歐元的收入。投資者正密切關注這項革新技術的市場採用進度。 high-NA EUV設備是在現有光學系統基礎上的重大升級，旨在協助晶片製造商進一步縮小電晶體尺寸，從而生產出效能更強大、專為人工智能（AI）應用而設的先進晶片。台積電雖已少量採購此類設備，但目前僅限於研發用途，尚未用於大規模生產。 張曉強亦透露，台積電正積極探索其他技術途徑，以提升晶片性能，期望在不立即引入high-NA EUV設備的情況下，仍能達到技術領先的目標。這反映出在高端製程投資巨大且技術挑戰重重背景下，晶片製造商在尋求平衡成本與性能的策略考量。