英諾賽科攜手NVIDIA 推動800 VDC全GaN電源方案 資金策略同步推進

英諾賽科（2577）宣佈，正與NVIDIA合作共同推動支援800 V直流（VDC）電源架構的全氮化鎵（GaN）解決方案，旨在提升AI數據中心能源效率與功率密度，兼具減能降碳優勢，助力新一代「AI Factories」基礎設施落地。此一戰略構想有望為人工智能機架設施從千瓦級跨越至兆瓦級提供關鍵動能，電流可減少約16倍，顯著降低I²R損耗及銅材用量，並同步縮小磁性元件體積，有效控制成本與體積。」 「公司指出，其第三代氮化鎵技術在輸入端與碳化硅（SiC）相比，可減少約80%驅動損耗與50%開關損耗，整體功耗降低約10%；而在54V輸出端，GaN器件以16顆即可匹配32顆硅MOSFET的導通性能，驅動損耗降低90%、功率密度提升一倍；總體架構亦相較傳統硅MOSFET實現快70%開關損耗降低、40%功率輸出提升，在同等體積下效能更強。」 市場消息指出，過往因NVIDIA認定英諾賽科為800 V架構供應商，該股曾飆升逾六成，創上市以來最大單日漲幅與成交量紀錄；今日消息再度引發關注，帶動股價走勢備受矚目。」 「除技術合作外，英諾賽科近日亦同步部署資金策略，公司剛提出透過配售集資約15.5億港元，每股配售價75.58元，與昨日收市價相比折讓約7.9%，擬發行股份佔擴大後已發行股本約2.26%；募集所得將約31%用於產能擴充與產品迭代升級、24%用來償還有息負債，其餘45%作營運資金與一般用途，以強化財務實力與市場競爭力。」 整體而言，英諾賽科目前在技術佈局與資金動員上同步進行，市場將留意其GaN器件量產與NVIDIA合作項目能否轉化為實質訂單，及其資本運作是否有助推動未來估值與股價表現。