華為發表「韜（τ）定律」芯片技術 何庭波稱五年內望達1.4納米製程突破

華為公司日前發布全新的芯片技術「韜（τ）定律」，引起市場高度關注。據公司預期，基於此創新原理，五年內有望實現1.4納米芯片的生產能力，展現其在半導體領域的研發實力。 華為董事兼半導體業務部總裁何庭波於週一（25日）發表題為《A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems》的論文，詳細闡述了名為「韜（τ）定律」（Tau Scaling Law）的全新芯片設計原理。根據內部資料，此理念在過去六年內已成功應用於381款芯片的設計與量產，顯示其具有高度實用性與成熟度。 市場消息指，被業界譽為「芯片女皇」的何庭波，自1996年加入華為後，初期負責光通信芯片設計。2004年華為成立海思半導體後，她開始主導消費電子芯片業務，逐漸成為華為芯片戰略體系中的核心負責人。 內媒曾披露，兼任海思半導體總裁的何庭波，在一封致員工信件中透露，公司早年已作出「極限生存假設」，預見未來可能無法獲得任何美國先進芯片和技術。為應對這一潛在挑戰，「數千海思兒女」投入了艱巨的研發工作，打造「備胎芯片」，為公司的生存和持續發展預作準備。此項戰略部署在2019年5月美國商務部將華為及其68家附屬公司列入實體清單，禁止美國企業向華為出售技術、軟件或芯片後，發揮了關鍵作用。當時，「備胎芯片」在一夜之間全面轉正，確保了華為產品線的供應穩定性。 大和證券分析指出，海思半導體此次提出的「韜定律」本質上是基於3D IC（三維集成電路）原理，旨在透過降低通訊延遲與訊號傳播損耗，以提升整個系統的性能表現。儘管業界普遍認知3D封裝技術是中國半導體產業的重點發展方向，但海思此次的正式發表，仍為市場帶來正面驚喜，顯示其在芯片設計與製造環節已取得顯著突破。這對於在當前複雜國際環境下，力求自主可控的中國半導體產業而言，具有深遠意義。