三星及SK海力士傳擬提升中國NAND晶片廠技術 與美磋商應對長江儲存競爭

市場消息指，南韓晶片巨頭三星電子及SK海力士正計劃提升其在中國的晶片製造廠技術，以生產更先進的儲存晶片。此舉被視為應對中國NAND生產商長江儲存日益崛起的重要策略，兩家公司已證實相關計劃，並正與美國政府進行密切磋商。 據知情人士透露，三星與SK海力士計劃在中國廠房生產逾200層的NAND快閃記憶體晶片，務求收窄與南韓本土先進產線的技術差距。 就三星而言，其位於陝西西安的工廠目前主要生產約200層的NAND晶片，佔集團全球NAND總產量約40%。消息稱，三星正透過代號為「Monami」的內部計劃，改造西安工廠，目標是生產286層的第九代V9 NAND晶片。該公司訂下今年12月達到每月生產5000片晶圓的目標，並計劃於2027年12月將產能提升至每月4萬片。 另一邊廂，SK海力士正計劃將遼寧大連工廠生產的NAND晶片，從現有的192層升級至240層或以上。據悉，該公司已獲準在大連生產最高240層的晶片，並可能進一步向美國申請許可，以便在當地研發超過300層的晶片，為其未來在美國生產相關產品奠定基礎。 投資者關注，自美國於2022年起限制部分晶片製造設備出口中國以來，三星和SK海力士若要在中國工廠安裝美國製造的蝕刻機等設備，必須每年向華盛頓申請許可。美國商務部工業與安全局(BIS)去年曾表明，原則上只會批准維持現有中國工廠運作所需的設備出口，不會批准擴大產能或升級技術的申請。 三星方面強調，此次工廠升級完全符合美國的出口管制規定。公司重申，升級旨在滿足全球客户不斷增長的需求，並未涉及擴大產能，亦沒有建設任何新的製造設施。 分析認為，美國的監管障礙一定程度上限制了三星和SK海力士升級中國工廠的能力，導致其市場份額被長江儲存蠶食。市場研究機構Omdia的數據顯示，長江儲存今年第二季在中國NAND市場的市佔率已達38.5%，顯著高於去年全年的28%，並已超越三星。同期，三星的市佔率從36%下降至33.5%，SK海力士則從20%降至17%。 知情人士稱，長江儲存目前主要生產160層和232層NAND晶片，並已少量生產294層產品，未來更計劃開發超過300層的晶片。相較之下，在中國以外的市場，三星目前銷售的NAND晶片最高已達286層，並於今年8月展示了超過400層的原型產品。SK海力士則已推出最高321層的NAND晶片。