【半導體】傳SK海力士擬首度在美產記憶體晶片 探討夥拍英特爾 南韓政府或成主要障礙

市場消息透露，南韓記憶體晶片巨頭SK海力士正與美國半導體龍頭英特爾（Intel）展開初步磋商，探討在美國本土生產記憶體晶片的可能性。若該協議達成，將標誌著SK海力士首次在美國境內設立記憶體晶片生產設施，然而，此潛在合作計劃正面臨南韓政府對敏感技術轉移可能構成的反對，成為其主要障礙。 據悉，雙方正考慮多種合作模式，以應對日益複雜的全球供應鏈挑戰。其中一個方案是，SK海力士將租賃英特爾在俄亥俄州規劃已久的晶片製造工廠部分設施。另一項可能性則涉及SK海力士、英特爾以及渴望確保記憶體晶片供應穩定性的主要雲服務公司，共同組建合資企業。 消息人士強調，這些談判仍處於「探索性」階段，目前尚未作出任何最終決定，SK海力士亦可能考慮其他交易架構方案。 值得留意的是，任何涉及高頻寬記憶體（HBM）或動態隨機存取記憶體（DRAM）等先進儲存技術在海外生產的協議，都可能觸發南韓政府的高度關注及反對。這些尖端技術被首爾當局視為「國家核心技術」，其技術轉移或海外生產將受嚴格審查。 就相關傳聞，SK海力士回應指，公司正研究多種措施以提升內存業務的競爭力，包括設立額外生產基地，惟現階段尚未作出任何決定。英特爾方面則僅表示，會繼續對俄亥俄州的投資，為該基地的運作做好準備。 南韓貿易部在被問及SK海力士在美生產晶片的計劃時重申，任何投資決定均由企業自行決定。然而，若有關計劃涉及「國家核心技術」，則必須根據南韓《工業技術保護法》進行審查，這亦反映出南韓政府對於關鍵技術外流的謹慎態度。