上海微電子28納米光刻機據報已交付 主要晶圓廠受惠 鞏固國產半導體供應鏈

市場消息指，由上海微電子裝備（SMEE）自主研製的28納米浸沒式深紫外（DUV）光刻機，經過多年發展，現已向包括中芯國際（0981）、華虹集團及富士康旗下的青島新核芯科技有限公司在內的多家主要晶圓製造商，合共交付45部。若消息屬實，此舉標誌著中國在半導體設備國產化進程上取得重要突破，有望顯著降低對荷蘭光刻機巨頭ASML的依賴。 這款備受矚目的國產28納米光刻機，其研發進度過去數年一直撲朔迷離，屢傳延遲。直至近期，相關資訊才趨於明朗。據悉，上海微電子於2002年成立，在2018至2019年間方能穩定量產90納米光刻機，隨即組建團隊投入28納米機型的研發。雖然此前曾多次傳出「年底驗收、翌年量產」的消息，最終均告延期，令業界對其進度有所疑慮。然而，今年3月29日在上海新國際博覽中心舉行的SEMICON China 2026展覽上，上海微電子首次完整展示該款28納米浸沒式深紫外光刻機，並允許近距離觀摩與技術交流，顯示其研發已趨成熟。 在客户端應用方面，據內地媒體報道，中芯國際已於去年5月在北京廠房接收首部國產28納米浸沒式深紫外光刻機（型號SSA800）。經過半年的驗證，該設備已於去年底正式導入量產線。截至今年4月，中芯國際已在其北京及上海臨港廠區部署8部SSA800，主要用於生產90納米至28納米製程的微控制器（MCU）、電源管理晶片及汽車功率元件等，並已在汽車電子晶片領域實現大量出貨。市場數據顯示，SSA800的製造良率穩定在92%至95%，已接近ASML同級光刻機Twinscan NXT：1980Di超過95%的表現。儘管其每小時產能約為150片晶圓，略低於ASML機型的275片，但單部SSA800每月約1.2萬片12吋晶圓的產能，使中芯部署的8部設備合計月產能達9.6萬片，約佔其中芯成熟製程總產能的7%，並預計於2026年底提升至15%。此外，有傳聞指中芯正嘗試運用SSA800的雙重曝光技術，實現14納米的等效製程，並已用於部分影像傳感器及射頻晶片的生產，但尚未大規模量產。 華虹集團亦是該國產光刻機的重要用户。據悉，其位於無錫的七廠已於今年第一季引進5部SSA800，重點支援MCU和分立元件的生產，尤其聚焦工業控制、智能電錶及白色家電晶片等高可靠度產品。這批設備已通過120日的長穩測試，製造良率穩定在92%，目前每月產能達6萬片晶圓，佔華虹無錫廠總產能約10%。 值得一提的是，富士康旗下的青島新核芯科技有限公司則一口氣向上海微電子訂購了32部SSA800，成為最大的單一客户訂單。這批設備已於今年第一季分批運抵青島廠區，其中12部已在3月進入量產線，用於製造5G射頻模組等晶片。餘下20部已完成安裝及電力聯調，正進入製程調試階段。預計年內全部投入量產後，這32部SSA800合計的每月產能將達到36萬片晶圓，有望使其成為全球最大的國產光刻機集羣應用基地。 業界人士分析指，SSA800光刻機的大規模部署，預期將使中國在28納米及以上成熟製程設備的自主率有望超過40%，大幅降低對ASML DUV光刻機的進口依賴，對國家半導體產業鏈的自主可控具有深遠意義。儘管國產光刻機的進展被視為重要里程碑，但仍面臨技術挑戰。目前14納米製程雖仍可應用於DRAM及快閃記憶體等產品，但在智能手機及個人電腦處理器領域已屬落後製程，與當前主流先進製程存在數代差距，缺乏市場競爭力。要實現更先進的7納米製程，即便透過四重曝光技術，SSA800亦可能需要更換關鍵零部件，其可行性仍有待觀察。