極紫外光刻技術關鍵 基石 長春光機所科研實力受矚

在全球半導體產業競逐高端技術的背景下，極紫外光刻（EUV）光學系統被視為突破半導體高階設備封鎖，並提升國家國際話語權的關鍵所在。市場分析指，先進光學技術的發展對推動高端晶片製造至關重要，而中國在相關領域的自主創新能力備受關注。 在光電科技領域，吉林長春扮演著舉足輕重的角色。其中，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所（簡稱長春光機所）素有「新中國光學搖籃」的美譽，憑藉其深厚的科研實力與持續創新，近年來屢獲國家技術發明獎。 長春光機所近年來的科研成就包括多個具備國際領先水平的項目，例如中紅外量子級聯激光（QCL）技術、空間級超精密反射鏡、高性能氮化鋁光電晶片，以及成像光譜晶片等。這些成果不僅展現了該所在光學工程與精密機械領域的卓越能力，更為國家在特定高科技領域的自主發展奠定了堅實的基礎。業界普遍認為，隨著全球對半導體供應鏈安全與技術自主性的日益重視，長春光機所在突破核心技術瓶頸方面，將持續發揮其戰略性作用。