長鑫科技據報將投產HBM3E高頻寬記憶體 惟良率僅兩至三成遠遜國際巨頭

市場消息指出，內地儲存晶片巨頭長鑫科技計劃啟動高頻寬記憶體(HBM)產品HBM3E的生產。儘管目前該款晶片的良率據報僅約兩至三成，遠遜於業界龍頭水平，但公司仍因應國內人工智能(AI)晶片製造商對先進儲存晶片的需求迫切，積極推進生產計劃。 知情人士透露，長鑫科技已向多家內地AI晶片設計公司提供HBM3E樣品進行測試，並預計在未來兩個月內啟動小批量生產。據瞭解，長鑫科技提供的樣品包括兩種版本：一種是標準設計，另一種則是經過優化旨在提升良率的改良版本。HBM3E作為關鍵的高性能記憶體技術，主要與高性能AI處理器協同運作，對於提升AI運算能力至關重要。 目前，長鑫科技的HBM3E晶片良率僅約20%至30%。相比之下，全球市場領導者，南韓的SK海力士，其HBM產品良率普遍可達七成左右。低良率無疑將顯著推高生產成本，因有大量晶片可能需要報廢或返工處理。然而，在當前全球晶片供應緊張，特別是中國AI晶片製造商面臨先進儲存晶片獲取困難的背景下，長鑫科技仍選擇推進投產，顯示其補足國內供應鏈缺口的策略意圖。 值得關注的是，市場預期長鑫科技HBM3E的售價將高於海外競爭對手的同類產品。性能測試結果亦顯示，長鑫科技的HBM3E表現更接近SK海力士的上一代產品HBM3，而非其最新的HBM3E。 此外，全球半導體巨擘之間的技術競賽持續白熱化。南韓三星電子此前已宣佈擴大HBM4的銷售規模，並開始向主要客户供應HBM4E樣品。這意味著，長鑫科技在商業化HBM生產方面，技術進程至少落後國際龍頭一代，凸顯其在高端儲存晶片領域追趕國際先進水平所面臨的挑戰。