長鑫科技傳將小批量生產HBM3E 惟良率僅兩三成引關注

市場消息指，內地存儲晶片巨頭長鑫科技正計劃展開高帶寬內存（HBM）產品HBM3E的小批量生產，此舉旨在應對國內人工智能（AI）晶片製造商對先進存儲晶片日益增長的需求。然而，消息亦指出，長鑫科技目前HBM3E的良率僅介乎20%至30%之間，遠低於市場領先企業的水平，引發業界關注。 知情人士透露，長鑫科技已向多家國內AI晶片設計公司提供HBM3E樣品進行測試，並預計在未來兩個月內正式啟動小批量生產。據瞭解，長鑫科技提供了兩種版本的HBM3E樣品，當中包括標準設計以及經過調整以提升良率的改良版本。HBM3E作為AI處理器的關鍵配套組件，其性能對AI應用至關重要。 消息人士續稱，相比於南韓主要競爭對手SK海力士約70%的HBM3E良率，長鑫科技的良率存在顯著差距。這種低良率將無可避免地推高生產成本，因為大量晶片可能需要報廢或返工，進而影響其產品定價。據報，長鑫科技HBM3E的預期售價將高於海外競爭對手的同類產品。 在性能測試方面，長鑫科技的HBM3E表現據指更接近SK海力士的上一代HBM3產品，而非其最新的HBM3E。此情況凸顯了長鑫科技在先進HBM技術上的挑戰。回顧市場發展，南韓三星電子早前亦已宣佈擴大其更先進的HBM4產品銷售規模，並向主要客户發出HBM4E樣品，這意味著長鑫科技在商業化HBM生產方面至少落後市場一代。 儘管面臨良率挑戰及成本壓力，長鑫科技仍積極推進HBM3E的生產投產計劃，分析認為，這主要由於中國AI晶片製造商正面臨難以獲取足夠先進存儲晶片以擴大產能的困境，市場對HBM的需求殷切。