SK海力士送樣新一代HBM4E記憶體晶片 性能功耗獲逾兩成提升

南韓半導體巨頭SK海力士（SK Hynix）近日宣佈，已成功向其主要客户提供最新一代高頻寬記憶體（HBM）晶片的樣品。此舉標誌著該公司在先進記憶體技術領域取得重要突破，有望進一步鞏固其在高速增長的AI市場中的競爭力。 SK海力士披露，這款嶄新的12層HBM4E晶片，其單引腳傳輸速率最高可達16千兆比特每秒（Gb/s），展現出卓越的數據處理能力。同時，新產品的能效較前代提升逾20%，在性能大幅躍升的同時，有效降低了功耗，對於應對人工智能工作負載日益複雜的需求至關重要。 市場消息指，受惠於新產品送樣的消息，SK海力士的股價表現活躍，盤中一度錄得近半成的升幅，反映投資者對其在記憶體技術創新及未來市場前景抱持樂觀態度。 HBM晶片作為人工智能晶片組的核心組件，憑藉其獨特的3D堆疊架構，能夠提供遠超傳統DRAM的頻寬和容量，是輝達（Nvidia）等領先AI晶片製造商處理器的關鍵環節。這些高性能記憶體對於訓練龐大的人工智能模型、加速數據處理效率具有不可或缺的作用。業界普遍認為，隨著全球對AI算力需求的急劇攀升，HBM市場競爭日趨白熱化，技術創新已成為各家廠商爭奪市場份額的關鍵所在。