長鑫科技擬斥逾349億人幣 擴大研發及存儲器測試項目

中國記憶體晶片主要製造商長鑫科技 近日宣佈一項重大資本開支計劃，擬斥資合共人民幣逾349億元，以投資新建技術研發項目，並擴建存儲器晶圓後道測試基地二期。此舉反映公司正積極加碼投資，旨在鞏固其在半導體產業鏈中的領先地位及競爭力。 根據長鑫科技發出的公告，公司計劃使用超募資金人民幣130億元，投入新建技術研發項目。該項目預計總投資額達人民幣241億元，主要透過超募資金撥付。這筆巨額投入彰顯長鑫科技對核心技術自主研發的高度重視，被視為其長期發展戰略的關鍵部署。 此外，長鑫科技將通過增資和借款方式，向其全資子公司長鑫存儲產品(合肥)提供人民幣50億元的超募資金。該筆資金將專門用於投資新建存儲器晶圓後道測試基地二期項目。此二期項目計劃總投資額為人民幣108億元，核心內容是建設一座先進的測試工廠，主要為DRAM存儲晶片提供專業的測試服務，並負責模組組裝。市場人士指出，晶圓後道測試在晶片製造流程中至關重要，確保產品性能與品質符合標準，而該擴建項目將進一步完善長鑫科技的記憶體晶片製造全產業鏈。 分析認為，長鑫科技此次大規模的資本開支，不僅將顯著提升其技術創新能力，亦有助於強化其在記憶體晶片生產供應鏈中的垂直整合優勢。而大量運用超募資金進行重點項目投資，亦凸顯公司雄厚的資本實力，及其對未來市場前景的樂觀預期和發展信心。