長鑫存儲第五代DRAM平台量產 國產記憶體技術獲里程碑突破

中國晶片製造商長鑫存儲日前於2026世界製造業大會上宣佈，其自主研發的第五代動態隨機存取記憶體 (DRAM) 技術平台已正式邁入量產階段。此舉標誌著中國在高端記憶體晶片領域的技術進程取得重大突破，有望為全球存儲產業供應鏈提供更多元、具韌性的選擇。 據悉，本次大會現場展示了兩款基於長鑫存儲G5平台打造的LPDDR5X量產產品。兩款產品單顆容量均達到24GB，相較於上一代同類型產品，性能提升幅度高達50%。產品分別採用496Ball及245Ball的封裝規格，設計上可靈活適配包括中高端智能手機、便攜式消費電子產品等多種應用場景的需求，目前均已順利進入大規模量產階段。 市場分析認為，該第五代DRAM技術平台的工藝水平已可比肩全球行業頂尖的量產工藝節點，體現了長鑫存儲在高端存儲技術路線上的里程碑式進展。DRAM作為現代電子產品不可或缺的核心組件，其技術進步對於信息技術發展至關重要。此項突破不僅為全球存儲產業鏈提供了更具創新性的選擇，亦有助於增強供應鏈的整體韌性，對於全球DRAM市場格局及中國半導體產業的自主化進程，均具備深遠意義。中國廠商在該領域取得量產能力，可望進一步強化國家在關鍵戰略性技術上的自主可控能力，備受投資者關注。