SanDisk加速HBF高頻寬閃存商用化 下半年推樣品 料明年實現商業化

美國記憶體公司SanDisk正積極推進高頻寬閃存記憶體（High Bandwidth Flash，HBF）的商業化進程。市場消息指出，公司正與材料、零部件及設備供應商緊密合作，以搭建HBF生產線。 SanDisk計劃於今年下半年推出HBF樣品，並預計在年底前完成試產線的建設，候選地點可能位於日本。業內普遍預期，HBF有望於明年（2025年）實現商業化。據悉，已有部分企業開始與SanDisk洽談採購訂單，顯示市場對此新技術的濃厚興趣。 HBF作為全球存儲半導體行業的下一代發展方向，其技術核心在於NAND快閃記憶體的垂直堆疊。有別於目前已商業化的高頻寬記憶體（High Bandwidth Memory，HBM）主要基於DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體）的垂直堆疊，HBF在速度上雖略遜於HBM，但其能夠處理更大容量數據的優勢顯著。分析認為，HBF將有效填補HBM與容量龐大但讀寫速度相對有限的固態硬盤（SSD）之間的存儲層級空白。 尤其在人工智能（AI）應用快速發展的背景下，HBF因其平衡了數據處理速度與容量的特性，被視為AI系統存儲解決方案的關鍵組成部分。SK海力士此前曾表示，HBF技術預計能顯著降低總體擁有成本（Total Cost of Ownership, TCO），同時大幅提升AI系統的可擴展性。業界專家預測，包括HBF在內的複雜記憶體解決方案的需求，將可能於2030年左右開始呈現爆發性增長。 韓國媒體指出，由於HBF與HBM在工藝流程方面存在相似性，預計目前在HBM市場具備領先競爭力的企業，如三星電子和SK海力士，有望將其優勢延續至HBF領域。今年2月，SK海力士已宣佈與SanDisk合作，共同推進HBF的標準化進程。然而，有觀察認為，鑑於雙方合作目前僅停留在標準制定層面，兩家公司未來或將各自生產產品推向市場。與此同時，儘管三星電子尚未公開其HBF開發計劃，但業界消息透露，該公司亦正處於積極準備階段，顯示主要存儲巨頭均高度關注並佈局HBF技術。