SK海力士領先業界 成功開發第六代10納米級DRAM 下半年料啟動供貨

南韓晶片巨擘SK海力士（SK Hynix）近日宣佈，成功研發出全球首款第六代10納米級同步動態隨機存取記憶體（DRAM），標誌著記憶體晶片技術邁向新的里程碑，有望大幅提升未來電子產品的效能。DRAM作為電腦及流動裝置的核心記憶體元件，其技術進步對於整個半導體產業至關重要。 據該公司公佈，此項第六代10納米級DRAM技術，亦稱「1c工藝」，已成功應用於開發16Gb第六代低功耗雙倍數據速率（LPDDR6）DRAM產品。SK海力士目標於今年上半年內完成量產準備工作，並計劃從下半年起開始向市場供貨。 該產品早於今年1月在美國舉行的2026年國際消費電子展（CES 2026）上進行推介，並已於近期取得研發認證，顯示其技術成熟度已達可量產階段。業界預期，基於1c工藝的LPDDR6產品將主要搭載於採用端側人工智能（On-device AI）技術的智能手機、平板電腦等高端流動設備，為這些設備提供更強大的AI運算能力。 與前一代LPDDR5X產品相比，新一代LPDDR6在數據速率方面提升了33%，同時能耗降低逾20%，顯著提升了效能與電池續航力，滿足AI應用對高速、低功耗記憶體日益增長的需求。SK海力士作為全球領先的記憶體晶片供應商之一，其在先進DRAM技術的領先地位，備受投資者與市場關注。