長鑫存儲據報謀攻NAND閃存市場 挑戰全球巨頭與本土對手

中國芯片製造商長鑫存儲據市場消息透露，正積極部署進軍快速增長的閃存芯片市場，此舉有望在全球內存供應持續緊張之際，顯著擴大其客户基礎。目前，全球閃存芯片領域主要由三星電子等國際巨頭主導。 知情人士指出，作為動態隨機存取記憶體 (DRAM) 芯片生產商，長鑫存儲此番佈局，亦將使其在國內市場與主要競爭對手長江存儲形成正面競爭。同時，進軍閃存領域意味著長鑫存儲將涉足半導體行業中增長最為迅速的細分板塊之一，特別是近年來在數據中心、人工智能系統及超級計算機等高端應用中，NAND閃存的需求持續強勁。 據悉，長鑫存儲已計劃在其位於北京的新工廠內，設立一條NAND閃存的研發與生產線。此外，公司亦在北京設立了一家研究所，專注於包括NAND閃存技術在內的各項前沿芯片研發工作。 據瞭解，長鑫存儲已就其NAND閃存的發展藍圖與潛在客户進行了洽談，當中包括一家新成立的初創公司，該公司計劃採購相關NAND芯片，以應用於其人工智能系統及超級計算機項目。 儘管長鑫存儲積極推進相關項目，目前尚不清楚上述研發生產線的具體投產時間。此外，公司是否會從研發和試產階段，進一步走向大規模商業化生產，仍有待觀察。然而，分析認為，長鑫存儲的舉動反映了中國在關鍵半導體領域尋求自主可控的戰略目標，並在全球芯片產業鏈中爭奪更大話語權的決心。