花旗料記憶體市場供不應求情況將持續至2027年

花旗發表最新研究報告，深入分析了動態隨機存取記憶體（DRAM）及儲存型快閃記憶體（NAND）等關鍵半導體產品的全球市場供需前景。該行修訂了相關預測，主要旨在反映全球主要記憶體供應商，包括三星(Samsung)及海力士(Hynix)近期上調了比特增長（bit growth）指引，同時考慮了最新的市場動態與數據。 報告指出，受惠於記憶體供應商的生產指引上調，以及消費類NAND需求呈現疲軟態勢的影響，花旗預計2027年DRAM的供需缺口將由早前預測的負8.7%收窄至負3.8%。然而，儘管供需缺口有所收窄，市場對伺服器DRAM及企業級固態硬碟（eSSD）的需求依然表現出強勁增長。該行預期，這兩類產品在2027年的同比增長將分別達到53%及52%，反映記憶體整體需求持續超越新增供應量。 市場消息指，當前記憶體的供需滿足率（S/D fulfillment ratio）仍維持在約70%的水平。綜合以上各項因素，花旗維持其預期，即直至2027年，全球記憶體市場仍將持續處於供不應求的狀態，值得投資者密切關注。