華為「韜定律」晶片技術揭秘 市場憧憬實現1.4納米水平 晶片及聯想股價飆升

【本報訊】華為在晶片技術領域取得顯著突破，據悉其管理層提出一套名為「韜定律」（τ定律）的新原理，以「時間縮微」取代傳統的「幾何縮微」路徑，為晶片性能實現階躍式提升開闢了新方向。華為預期，基於「韜定律」設計的高端晶片，其電晶體密度有望在2031年達到與1.4納米製程相若的水平。受此消息刺激，港股市場昨日反應熱烈，晶片股如中芯國際（00981）及華虹半導體（01347）領漲大市，而聯想集團（00992）更成為表現最佳藍籌，股價急升逾15%，帶動市場風險胃納升温，多隻科技半新股亦普遍造好。 華為半導體業務部總裁、素有「晶片女王」之稱的何庭波，於本週一在上海舉行的主旨演講中，首次公開闡述「韜定律」。她指出，此定律旨在透過「時間縮微」替代「幾何縮微」，為半導體發展提供新的思路，並預期此舉有助於縮小與領先晶圓代工廠台積電之間的技術差距。華為透露，過去六年已基於「韜定律」設計並量產了381款晶片。其中，備受業界關注的是預計今年秋季發布的新款麒麟手機晶片，該晶片被視為檢驗「韜定律」實際成效的關鍵。據悉，這款新晶片將採用「邏輯折疊技術」，旨在解決摩爾定律在7納米以下製程中，半導體逼近原子尺度所面臨的物理極限。華為的策略不再僅限於單純優化電晶體，而是轉向對電晶體、電路、晶片乃至整個系統進行全面優化。 「邏輯折疊技術」的核心在於將電路架構從傳統的2D層級轉變為加密堆疊的3D層級，此舉變相縮短了電路走線長度，同時降低電容負載並減少電阻，從而持續壓縮信號傳播時延，不斷提升電晶體密度。外界普遍預期，這項技術突破有望減少對荷蘭半導體設備巨頭ASML極紫外光（EUV）光刻機的需求，並為生產晶片所需周邊設備的定義帶來革新。然而，進行3D堆疊技術時，業界亦關注其在散熱、良率及物料選擇等方面可能面臨的挑戰。受惠於「韜定律」新主張的突破，市場資金追捧相關概念股，強勢的聯想集團股價昨日急升15.49%，並創下歷史新高；晶片股中芯國際及華虹半導體亦分別抽高5.69%及10.45%；半導體設備及材料供應商ASMPT（00522）股價同樣表現強勁，大幅上漲10.83%，盤中一度見204.6元歷史新高。值得留意的是，極紫外光光刻機龍頭ASML在荷蘭的股價則在香港時間昨晚近10時下跌1.79%。 券商分析普遍對華為新技術持樂觀態度。大和報告形容，華為公佈的創新技術，可利用內地現有浸潤式深紫外光（DUV）曝光機設備進行生產，有效打破設計與生產上的障礙，為市場帶來正面驚喜。另有券商引述招商證券的分析指，華為此次技術突破，預料將系統性地拉昇鍍銅設備、化學機械拋光（CMP）設備、混合鍵合設備、潔淨室及相關耗材的需求，為整個半導體供應鏈帶來新的商機。