三星SK海力士謀華廠升級迎戰長江儲存 須平衡美出口管制挑戰

市場消息指出，南韓半導體巨頭三星電子及SK海力士正積極部署，計劃升級其位於中國的晶片生產設施，以生產更先進的儲存晶片。此舉旨在應對中國NAND快閃記憶體製造商長江儲存近年來的快速崛起，以及其在市場份額上的強勁挑戰。據悉，兩家韓企已證實相關計劃，並就升級事宜與美國政府保持密切磋商。 知情人士透露，三星電子旗下的陝西西安工廠，目前主要生產約200層的NAND晶片，該廠產能約佔三星全球NAND總產量的四成。為提升技術水平，三星正推動一項內部代號為「Monami」的改造計劃，目標是將西安工廠升級至生產更為先進的286層第九代V9 NAND晶片。公司設定的初步目標是在今年12月實現每月5000片晶圓的產量，並計劃於2027年12月將產能提升至每月4萬片。 與此同時，SK海力士亦正籌劃提升其位於遼寧大連工廠的NAND晶片生產技術。該廠目前主要生產192層NAND晶片，公司計劃將其升級至240層或以上。消息指出，SK海力士已獲得許可在大連生產最高240層的晶片，未來亦可能向美國尋求進一步許可，以便在當地研發逾300層的晶片技術，為其在全球其他地區的尖端技術發展奠定基礎。 然而，兩家韓企在華工廠的升級之路，正面臨美國自2022年起實施的晶片製造設備出口管制措施的嚴格限制。根據相關規定，若要在中國工廠安裝美國製造的蝕刻機等關鍵設備，相關企業必須每年向華盛頓提出許可申請。美國商務部工業與安全局（BIS）去年曾明確表示，原則上只會批准用於維持現有中國工廠運作的設備出口許可，而不會批准旨在擴大產能或升級技術的申請。 針對工廠升級計劃，三星電子強調其舉措完全符合美國的出口管制規定。公司表示，此次升級旨在滿足全球客户日益增長的需求，並未涉及擴大產能，亦無新建製造設施。 儘管韓企竭力平衡各方因素，但美國的監管障礙已實質上限制了三星與SK海力士在華工廠的技術升級能力，導致其在中國NAND市場的份額逐步被長江儲存蠶食。據市場研究機構Omdia的數據顯示，長江儲存於第二季度在中國NAND市場的市佔率已達38.5%，相較去年全年的28%顯著提升，並已超越三星電子成為市場龍頭。同期，三星的市佔率從36%降至33.5%，而SK海力士的市佔率亦從20%下滑至17%。 知情人士透露，長江儲存目前主要生產160層及232層的NAND晶片，並已少量生產294層產品，同時亦計劃進一步開發逾300層的晶片。相對而言，在中國以外的市場，三星現正銷售的NAND晶片最高已達286層，並於今年8月展示了逾400層的原型產品；SK海力士也已推出最高達321層的NAND晶片，顯示出在全球尖端技術領域，兩家韓企與其中國工廠之間，以及與長江儲存之間，存在一定的技術差距和競爭格局。