市場聚焦｜三星電子據報首度攜手台積電 採用3納米技術為輝達生產HBM基底裸片

據業界消息透露，全球科技巨擘三星電子在高端晶片製造領域再有新動向。市場消息指，三星電子將首次採用晶圓代工龍頭台積電的3納米（nm）製程技術，為人工智能（AI）晶片巨頭輝達(Nvidia)生產下一代定製高帶寬內存（HBM）晶片的基底裸片（Base Die）。此舉標誌著兩大科技巨頭在HBM製造階段展開合作，備受市場關注。 報道引述消息人士稱，輝達為確保供應鏈多元化及技術標準統一，已要求包括三星電子、SK海力士及美光科技在內的多家主要內存供應商，採用台積電的先進製程技術製造其NVHBM基底裸片，並同時使用第六代DRAM技術生產核心裸片。輝達去年8月發布的NVHBM，據悉將輝達的定製內存控制器整合至基底裸片中，旨在統一各內存供應商的實施方案，確保產品兼容性與性能一致性。 消息續指，三星電子在經過內部評估後，已接受輝達的這項要求。然而，值得留意的是，三星仍計劃維持自主生產模式，以應對其標準HBM產品以及其他客户的定製需求。這顯示三星在策略上尋求平衡，既與外部合作夥伴協同，又保留自身核心製造能力。 此外，三星電子亦正在評估，倘若未來市場需求超出台積電的產能負荷，其自身的晶圓代工業務是否具備能力生產NVHBM基底裸片，以作為潛在的備援方案。 HBM技術作為高性能運算（HPC）及AI加速器不可或缺的關鍵組件，其市場地位日益提升。隨著AI應用快速發展，對HBM的需求激增，促使晶片製造商與記憶體供應商之間形成更緊密的合作關係，共同應對技術挑戰與市場機遇。3納米製程作為當前最先進的晶片製造技術之一，其應用亦反映了輝達對高性能HBM晶片的嚴格要求。