瑞銀報告料中國光刻技術十年內難追ASML尖端水平 惟預期2-5年可量產浸沒式DUV

瑞銀分析師團隊發表最新報告指出，預計中國半導體製造能力在未來十年內，恐難以實現足夠快速的技術躍進，特別是在研發可真正替代荷蘭半導體設備巨頭ASML（艾司摩爾）尖端極紫外光刻（EUV）技術的方案上。 報告深入剖析，從專利申請活動的趨勢觀察，尤其是在光刻設備的光源及雷射子系統等關鍵領域，中國目前的技術成熟度，大致相當於ASML於2004年的水平。換言之，這比ASML開始大規模生產EUV設備的時間點，早了約15年。分析師直言，中國目前所處的階段，似乎與ASML當年發展EUV技術的歷程有著顯著的差距。 市場普遍關注中國在全球半導體供應鏈中的發展。瑞銀分析師進一步指出，考慮到中國本土製造的光刻設備在良率和產能方面與ASML的產品可能仍存在落差，加上國際間的監管限制日益收緊，相信中國研發的光刻設備，短期內不太可能在中國境外市場得到應用。 儘管如此，瑞銀亦提出較為樂觀的預期。報告估計，中國有望在未來2至5年內，具備浸沒式深紫外（DUV）光刻機的大規模量產能力。浸沒式DUV技術雖然不如EUV系統般先進，但在晶片製造過程中，它仍是不可或缺的核心設備，主要透過光線將複雜精細的電路圖案精準轉印至矽晶圓上，對半導體產業發展至關重要。 作為全球唯一能夠生產尖端光刻設備的企業，ASML在半導體產業鏈中佔據獨特地位。其設備對於製造包括Nvidia（輝達，NVDA.US）等晶片巨頭所使用的先進半導體而言，扮演著關鍵角色。儘管中國是ASML的重要市場之一，但受地緣政治及出口管制措施影響，ASML目前被禁止向中國出售其最尖端的極紫外光刻設備。