傳長鑫存儲小量試產先進高頻寬記憶體 內地晶片巨頭爭相測試謀國產化突破

市場消息指出，中國記憶體晶片龍頭長鑫存儲 (CXMT) 據報已啟動小量試產先進的高頻寬記憶體 (HBM3E)，並計劃於明年進一步擴大產能。此舉被市場視為該公司在追趕全球記憶體巨頭方面取得關鍵性突破，對中國半導體產業的發展具有戰略意義。 HBM作為專為人工智能 (AI) 處理器設計的高性能記憶體，憑藉其卓越的頻寬和傳輸速率，成為加速AI運算不可或缺的關鍵零組件。目前，全球HBM市場主要由韓國的SK海力士、三星電子以及美國的美光科技三大巨擘主導，競爭格局激烈。 分析人士指出，雖然長鑫存儲現階段的產量仍屬小規模，且在良率與穩定性方面尚待提升，技術水準與國際先進世代仍存在約兩代的差距，但業界普遍認為，此舉標誌著長鑫存儲已成功跨越HBM生產「從無到有」的量產門檻。這不僅展示其在尖端記憶體技術上的進展，也為中國本土半導體產業鏈的自主可控注入新動能，備受投資者關注。 受此消息帶動，多傢俱實力的內地晶片設計商，包括寒武紀以及阿里巴巴 (09988) 旗下晶片設計公司平頭哥等，正積極測試長鑫存儲生產的高頻寬記憶體，以評估其與自家AI處理器的相容性和性能表現。若後續測試進展順利，這些領先的晶片企業最快可望於明年起，將國產HBM正式應用於其商業產品之中，預示著中國在AI晶片供應鏈國產化方面有望邁出堅實一步。