聯儲加息預期重挫半導體股 韓股KOSPI單日急跌近一成 高估值科技板塊現資金撤離潮

近日全球半導體板塊遭遇顯著調整，尤以韓國股市為甚。上週一個交易日，韓國KOSPI指數盤中兩度觸發熔斷機制，最終收市急挫9.99%，失守910點關口，收報8,203.84點。這是韓國市場今年第四次、歷史上第十次全市場熔斷，引發市場對高估值科技及半導體股前景的重新審視。 市場觀察到，是次股市波動並非全面性股災，而是一場針對特定高估值科技與半導體板塊的精準資金撤離。美國股市的表現亦印證了這一點，納斯達克指數當日收跌2.21%至25,587.04點，標準普爾500指數跌1.44%至7,365.46點，而傾向藍籌股的道瓊斯指數僅微跌0.09%，收報51,666.84點。美股三大指數的明顯分化，反映資金流向呈現有計劃的避險操作，而非盲目逃竄。 半導體行業成為是次震盪的重災區。韓國兩大存儲晶片巨頭SK海力士及三星股價均重挫約12%，日本鎧俠跌幅更逾15%。美國市場方面，台積電美國預託證券（TSM）亦跌5.08%，費城半導體指數（SOX）大跌約7.9%。多隻晶片股受壓，包括美光跌約8.5%、超微（AMD）跌約6.2%、英特爾跌約7.6%；然而，人工智能（AI）晶片龍頭英偉達相對抗跌，僅跌約3%，其後續走勢備受市場關注。 市場分析普遍認為，美國銀行（BofA）於上週發布的報告是觸發此次調整的導火線。該報告意外地預期美國聯儲局將在9月、10月及12月各加息25個基點，將基準利率推升至4.25釐至4.5釐區間，並直言通脹「明確惡化」。受此消息影響，兩年期美債孳息率隨即升至2025年2月以來新高。利率被視為影響估值的「地心吸力」，一旦利率預期上調，對估值敏感的半導體板塊首當其衝。 除了加息預期，交易過度擁擠亦是引發市場急跌的另一原因。今年以來，美光、Marvell及安森美等公司股價曾錄得倍數升幅，SK海力士、三星股價亦屢創新高，板塊估值與倉位堆積至極致。當利淡消息出現，便容易引發踩踏式平倉。此外，市場亦有傳聞指美國可能於月底對相關AI晶片實施進口禁令的初步裁決，儘管此消息仍待核實，但亦為市場情緒增添不確定性。 在韓國市場，是次拋售潮主要由外資減持半導體重倉股驅動，加上韓圜受壓引發的「被動去槓桿」效應，而非基本面顯著惡化。有分析指出，令人不安的跌幅，相當部分是匯率與資金流向波動的影響。 具體到SK海力士，儘管其股價單日急跌12%，但市場普遍認為其核心業務邏輯未變。雖然有未經證實的二手報道稱，SK海力士或放緩HBM4擴產，轉向毛利較高的傳統DRAM，並被解讀為「AI存儲見頂」。然而，該公司近期與英偉達公佈多年技術合作，並於6月送出12層HBM4E工程樣品，其明年產能亦已售罄。美銀更在報告中將2026年定性為存儲「超級週期」，預測全球DRAM收入將大增51%，並點名SK海力士為首選。綜合來看，多數分析傾向於認為，是次股價調整主要為板塊普跌所致，而非公司基本面出現根本性問題，其HBM與AI主敍事並未逆轉。 市場普遍判斷，這一次調整更傾向於「估值與倉位的劇烈再平衡」，而非趨勢逆轉的拐點。其主要理據在於，觸發因素是利率預期轉變而非需求轉弱；其次，產能售罄、與英偉達的長期合作協議及HBM4E的技術進展，仍指向供給偏緊的局面。此外，韓國股市的極端跌幅含有大量外資及匯率驅動的被動平倉，預期這類急跌亦有機會迅速反彈，事實上亦有報道指SK海力士與三星已帶動KOSPI翌日反彈。 投資者需密切關注三大風險因素：聯儲局是否真會轉向加息、AI資本開支指引會否下調，以及出口管制與進口禁令的具體落地情況。總體而言，上週的重挫本質上是「利率轉向」點燃「過度擁擠的AI／半導體交易」獲利了結，半導體板塊則成為美韓兩地市場聯動放大的加速器。市場最懼怕的從來不是下跌，而是不明所以的下跌；而這一次，市場至少能清晰地看到其背後因由。