蔡司高層料中國自研EUV光刻機需時15載 瑞銀同指短期難追趕

德國光學巨擘蔡司(Zeiss)的高級管理層近日就中國在尖端晶片製造設備領域的發展發表評論，指出中國的相關技術水平與全球領先者仍有顯著差距。 蔡司半導體部門負責人羅蒙德(Frank Rohmund)接受媒體訪問時表示，中國在該領域的技術約落後全球領先水平15年。他估計，中國若要自行研發出極紫外光(EUV)光刻機，可能需要長達15年的時間。 羅蒙德認為，考慮到北京當局數十年來持續對相關技術投入大量資金及資源進行研發，15年是一個「合理的估計」。然而，他亦補充指，中國目前實際的技術進展難以精準量化。對於近期有報道提及中國在光刻設備領域取得進展，羅蒙德坦言這並不令人意外，但強調業界仍需密切觀察這些設備在實際量產時的性能表現。他語帶自信地指出：「我們仍然遙遙領先。」 值得注意的是，蔡司是全球唯一商業化生產EUV光刻機的龍頭企業ASML的獨家光學系統供應商，其評估在全球半導體產業鏈中具有重要參考價值。EUV光刻技術是製造最先進晶片的關鍵瓶頸之一，其複雜性和精密度極高，被視為半導體製造領域的「皇冠上的明珠」。 在蔡司發表上述評估之前，瑞銀分析師團隊亦曾發布報告，持有類似觀點。報告指出，中國在未來10年內，可能仍難以開發出能夠完全替代ASML設備的國產EUV技術，凸顯了追趕領先技術的艱鉅性。隨著全球科技競爭日趨激烈，先進半導體製造技術的自主可控性成為各國戰略焦點。EUV光刻機作為晶片生產的核心工具，其研發進程及技術壁壘備受投資者與產業關注。