瑞銀報告：中國十年內難追艾司摩爾EUV技術 惟DUV產能有望提升

瑞銀發表最新報告，其分析師團隊預計，中國在半導體製造能力方面，未來十年內恐難以取得足夠快速的突破，以開發出能真正媲美全球半導體設備巨擘艾司摩爾（ASML）尖端極紫外光刻（EUV）技術的替代方案。 報告深入分析指出，從專利申請活動的密度與成熟度來看，尤其是在光刻機器的光源及雷射子系統等關鍵領域，中國目前的技術發展水平，大致與艾司摩爾在約15年前、即2004年左右開始大規模生產EUV設備前的狀態相若。這顯示中國的技術進程仍與艾司摩爾當年存在顯著差距。 分析師們進一步表示，鑑於中國國產設備在良率（Yield）及產能方面，與艾司摩爾的頂尖產品可能仍存在技術鴻溝，加上當前嚴格的國際監管及出口限制，預料中國自主研發的光刻設備，短期內不太可能在中國境外市場獲得廣泛應用。這亦凸顯了技術實力與市場准入的雙重挑戰。 儘管如此，瑞銀報告亦預期，中國有望在未來2至5年內，具備大規模量產浸沒式深紫外（DUV）光刻機器的能力。雖然浸沒式DUV技術不如EUV系統先進，且無法生產最尖端的晶片，但它在晶片製造過程中依然扮演不可或缺的角色，尤其是在將複雜精密的電路圖案轉印至矽晶圓上。 市場普遍認知，艾司摩爾是全球唯一一家能夠生產製造尖端光刻設備的企業，此類設備對於生產包括輝達（Nvidia）等科技巨頭所需的高性能先進半導體至關重要。中國是艾司摩爾主要的市場之一，然而，受制於地緣政治與出口管制，該公司目前被禁止向中國出售其最先進的極紫外光刻設備。