瑞銀：中國光刻技術十年內難追ASML尖端水平 料僅達十五年前水準

瑞銀集團近日發表報告指出，預期中國半導體製造能力在未來十年內，將難以取得足夠快速的進展，以開發出真正能夠替代全球龍頭艾司摩爾(ASML)尖端極紫外光刻（EUV）技術的方案。此分析凸顯中國在高端晶片製造領域所面臨的長期挑戰。 分析師們在報告中詳細闡述，從專利申請活動的觀察來看，尤其在光源和雷射子系統等關鍵技術領域，中國目前的光刻技術成熟度，大致相當於艾司摩爾開始大規模生產EUV設備前十五年的水平。他們進一步指出，中國目前所處的技術發展階段，似乎與艾司摩爾在2004年時的情況相若，反映出明顯的技術差距。 瑞銀分析師續稱，考慮到中國本土設備在良率和產能方面與艾司摩爾可能存在的差距，加上國際間日益嚴格的監管限制，相信中國光刻設備未來不太可能在中國境外市場得到廣泛應用，這將限制其在全球半導體供應鏈中的影響力。 不過，報告亦預計，中國有望在未來2至5年內，具備浸沒式深紫外（DUV）光刻機的大規模量產能力。儘管浸沒式DUV系統在技術上不如EUV系統先進，但它仍然是晶片製造過程中不可或缺的關鍵設備，主要負責利用特定光線將複雜精細的電路圖案轉印到矽晶圓上。 市場普遍認識到，艾司摩爾是全球唯一能夠生產尖端光刻設備的企業，其技術對於製造包括輝達(Nvidia)等公司所使用的先進半導體至關重要。儘管中國是艾司摩爾最大的市場之一，但受制於出口管制，該公司目前被禁止向中國出售其最先進的極紫外光刻設備，進一步加劇了中國在高端晶片製造上的挑戰。