半導體技術再突破 IBM首創0.7納米晶片製程揭示微縮新里程

全球半導體及電子電腦業界多年來一直關注，被視為推動晶片技術發展核心的摩爾定律（Moore's Law）是否已接近極限。特別是在先進製程方面，市場普遍擔憂即使採用ASML最尖端的高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻機，晶片精密度的極限也可能止步於1納米，意味著晶片微縮將難以持續。然而，IBM近日成功發表全球首套「次納米」（Sub-1nm）晶片製程技術，將精密度推展至0.7納米，為業界帶來突破性進展，打破了悲觀預期。 據IBM公佈的資料，這款創新的0.7納米製程晶片，可在指甲大小的面積上整合接近1000億個電晶體，其密度幾乎是該公司於2021年發表的2納米晶片的兩倍。技術測試結果顯示，相較於2021年的2納米製程晶片，0.7納米製程晶片的性能最高可提升50%，而功耗效率更顯著提高70%。此項技術突破，預期將為生成式AI、雲端基建以至下一代電子設備等多類應用，提供更強大的運算能力。 為了實現這一技術飛躍，IBM特別開發出全新的「納米堆疊」（Nanostack）電晶體架構。這是業界已知首個基於納米片（Nanosheet）的3D結構設計，透過採用垂直堆疊、交錯排列的電晶體佈局，得以在相同的晶片面積內容納更多電晶體，有效提升晶片密度。 儘管當前晶片製程技術所代表的，更多是電晶體密度而非精確的電路線寬，但IBM的0.7納米製程技術仍明確證實，在中短期內，晶片微縮仍具備巨大潛力。根據IBM的半導體技術路線圖顯示，預計至少在未來10年內，晶片技術仍可持續實現微縮，為整個半導體產業的未來發展注入強心針。