SK海力士斥資逾三千億港元擴建晶片產能 應對AI記憶體需求飆升

南韓記憶體晶片巨頭SK海力士（SK hynix）日前宣佈，將斥資總計54.3萬億韓圜（約合3024.5億港元），用於興建兩座先進晶片生產設施，以滿足全球市場對動態隨機存取記憶體（DRAM）及快閃記憶體（NAND）的龐大需求，特別是人工智能（AI）領域的快速增長。 根據該集團的規劃，這兩座新建晶圓廠將分別座落於龍仁及清州。其中，龍仁「Y2」晶圓廠項目預計投資35.2萬億韓圜，而清州「M17」晶圓廠項目則將投入19.1萬億韓圜。 **龍仁Y2廠聚焦HBM生產**
集團表示，龍仁Y2晶圓廠是其在龍仁半導體集羣內規劃的四座晶圓廠中的第二座，總建築面積達約113萬平方米，建成後將主要作為DRAM生產基地。該廠房預計於明年7月正式動工，首個無塵室定於2029年6月啟用，主要將用於生產HBM等新一代DRAM產品，以支援AI應用對高頻寬記憶體的迫切需求。據悉，同集羣內的首座晶圓廠Y1項目進展順利，預期明年2月即可啟用首個無塵室。 **清州M17廠擴充快閃記憶體產能**
至於清州M17晶圓廠，其總建築面積約68萬平方米，計劃於明年2月展開建設工程，並有望在2028年12月啟用首個無塵室。該項目的投資期將持續至2031年4月，集團將按業務進度分階段推進實施。 **市場預期記憶體需求強勁**
市場分析指出，隨著人工智能技術的普及與深化，對於高性能、大容量記憶體晶片的需求呈現爆發式增長。據市場調研機構Omdia的最新預測，從去年至2030年，全球DRAM和NAND快閃記憶體市場需求年均複合增長率將達到19%。SK海力士此次大規模的投資擴產，正反映了其看好記憶體市場的長期增長潛力，並旨在鞏固其在全球半導體產業中的領先地位。此舉亦顯示全球主要半導體廠商正積極部署，以應對由AI驅動的新一輪科技浪潮。