長鑫科技斥逾340億人幣 推進存儲晶片研發及測試基地擴建

內地半導體企業長鑫科技（688825.SH）近日公佈重大投資計劃，旨在大幅強化其在存儲晶片領域的技術研發實力及後道測試產能。是次大規模注資彰顯公司積極拓展核心業務、鞏固產業鏈佈局的決心。 根據長鑫科技的公告，公司擬動用超募資金共計130億元人民幣，用於投資新建一項關鍵的技術研發項目。該研發項目總計劃投資額高達241億元人民幣，預期將聚焦於存儲晶片前沿技術的創新與突破，為公司未來產品迭代及市場競爭力提供堅實支撐。 同時，為進一步提升存儲器晶圓的品質控制及生產效率，長鑫科技亦計劃斥資在後道測試環節。具體而言，公司擬通過增資及借款方式，向其全資子公司長鑫存儲產品(合肥)提供50億元人民幣的超募資金，專門用於投資新建存儲器晶圓後道測試基地二期項目。該項目總投資額為108億元人民幣，規劃建設一座現代化的測試工廠，主要功能是為DRAM存儲晶片提供全面的測試服務，並負責相關模組的組裝。 市場普遍認為，長鑫科技此番大手筆投資，反映其對存儲晶片市場前景的看好，並希望藉此鞏固其在國內半導體產業鏈中的戰略地位。隨著全球對高性能存儲晶片需求的持續增長，強化研發與提升後道測試能力，對於確保產品品質及加速市場響應至關重要。投資者關注這些項目投入運營後，將如何影響公司的營運表現和長遠發展。