東京大學研發原子級超薄半導體材料 台積電提供支援劍指2031年12吋晶圓

據最新科研成果顯示，由東京大學領導的研究團隊成功開發出一種厚度僅相當於單個原子的全新半導體材料。此項突破在國際知名科學期刊《自然》上發表，有望為正逐步接近微型化物理極限的傳統矽半導體技術，開創下一代解決方案。 隨著電子產品對晶片性能及集成度的要求不斷提升，現有的矽基半導體面臨微縮瓶頸，業界積極尋求具備更高電子遷移率及更佳尺寸縮放潛力的替代材料。東京大學研發的這種超薄材料，因其極致纖薄的特性，被視為未來高性能、低功耗晶片的關鍵基礎。 市場對此項技術潛力反應正面。全球領先的晶圓代工巨頭台積電已迅速介入，並開始為此項研究提供支援。據悉，研究團隊與台積電的合作目標宏大，旨在2031年前後成功製備出直徑12吋的晶圓，這將標誌著該新材料從實驗室走向商業化應用邁出關鍵一步。投資者及業界人士正密切關注此項技術的未來發展及其對半導體產業格局的深遠影響。