日本半導體巨頭鎧俠(Kioxia)近日宣佈,已開始向客户交付其第十代BiCS FLASH 3D快閃記憶體晶片的樣品。這項最新技術的產品將在日本巖手縣的鎧俠北上工廠Fab第二廠房(Fab2)進行生產。 據瞭解,是次發佈的1Tb TLC(Triple-Level-Cell)產品,採用第10代BiCS FLASH 3D快閃記憶體技術,主要用於鎧俠旗下的企業級及數據中心固態硬碟(SSD)產品線。市場分析認為,此舉旨在擴大鎧俠的產品陣容,並策略性地滿足當前對人工智能(AI)儲存方案日益增長的需求。隨著生成式AI及大型語言模型應用迅速發展,業界對高效能、高容量及低功耗的儲存解決方案需求殷切。 新一代晶片在技術上實現顯著突破。第十代BiCS FLASH晶片將NAND介面傳輸速度提升至每秒4.8 Gb,較第八代產品增長33%。透過創新的332層堆疊技術及橫向密度優化,位元(bit)密度大幅增加了59%,儲存效能及密度均有質的提升。此外,新技術亦著重能源效率,寫入和讀取能源效率分別提升了18%和30%,有助於降低數據中心的運營功耗,符合綠色數據中心發展趨勢。 鎧俠指出,公司正同步推進兩條差異化的產品線策略。其中,第九代解決方案旨在以相對較低的投資成本提供優異性能;而第十代技術則運用更先進的層疊工藝,致力於實現更大容量和卓越的整體性能,以應對不同市場區隔的特定需求。
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